Новости Словари Конкурсы Бесплатные SMS Знакомства Подари звезду
В нашей
базе уже
59876
рефератов!
Логин

Пароль

Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах6380

Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах6380.
Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
Предварительные сведения.В данном реферате рассматриваются технологии, связанные сособенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах.Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Ана-лизируются основные этапы автоматизированного процесса пректирова-ния.ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС.СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС.БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ.Характерной тенденцией развития элементной базы современнойэлектронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степениинтеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускоре-ния темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС иСБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существованиедвух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупно-серийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производствакоторых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительнобольшие затраты на их проектирование и конструирование оправдыва-ются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного видаполупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стан-дартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко второму классу,при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпус-каются для удовлетворения нужд отдельных отраслей промышленности.Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами наих проектирование.Основным средством снижения стоимости проектирования и, глав-ное, ускорения темпов разработки новых видов микроэлектронной ап-паратуры являются системы автоматизированного проектирования(САПР). В результате совместных действий конструкторов, направлен-ных на уменьшение сроков и снижение стоимости проектирования БИС иСБИС, появились так называемые полузаказные интегральные микросхе-мы, в которых топология в значительной степени определяется унифи-цированной конструкцией кристалла. Первые схемы, которые можно от-нести к данному классу, появились в 60-х годах. Они изготавлива-лись на унифицированном кристалле с фиксированным расположениемфункциональных элементов. При этом проектирование заключалось вназначении функциональных элементов схемы на места расположениясоответствующих функциональных элементов кристалла и проведениисоединений. Такой кристалл получил название базового, посколькувсе фотошаблоны (исключая слои коммутации) для его изготовленияявляются постоянными и не зависят от реализуемой схемы. Эти крис-таллы, однако, нашли ограниченное применение из-за неэффективногоиспользования площади кристалла, вызванного фиксированным положе-нием функциональных элементов на кристалле.Для частичной унификации топологии интегральных микросхем(ИС) использовалось также проектирование схем на основе набора ти-повых ячеек. В данном случае унификация состояла в разработке то-пологии набора функциональных (типовых ячеек, имеющих стандартизо-ванные параметры (в частности, разные размеры по вертикали). Про-цесс проектирования при этом заключался в размещении в виде гори-зонтальных линеек типовых ячеек, соответствующих функциональнымэлементам схемы, в размещении линеек на кристалле и реализациисвязей, соединяющих элементы, в промежутках между линейками. Шири-на таких промежутков, называемых каналами, определяется в процессетрассировки. Отметим, что хотя в данном случае имеет место унифи-кация топологии, кристалл не является базовым, поскольку вид всехфотошаблонов определяется в ходе проектирования.Современные полузаказные схемы реализуются на базовом матрич-ном кристалле (БМК), содержащем не соединенные между собой прост-ейшие элементы (например, транзисторы), а не функциональные эле-менты как в рассмотренном выше базовом кристалле. Указанные эле-менты располагаются на кристалле матричным способом (в узлах пря-моугольной решетки). Поэтому такие схемы часто называют матричнымиБИС. Как и в схемах на типовых ячейках топология набора логическихэлементов разрабатывается заранее. Однако в данном случае тополо-гия логическиго элемента создается на основе регулярно расположен-ных простейших элементов. Поэтому в ходе проектирования логически-мих элемент может быть размещен в любом месте кристалла, а длясоздания всей схемы требуется изготовить только фотошаблоны слоевкоммутации. Основные достоинства БМК, заключающиеся в снижениистоимости и времени проектирования, обусловлены: применением БМКдля проектирования и изготовления широкого класса БИС; уменьшениемчисла детализированных решений в ходе проектирования БИС; упроще-нием контроля и внесения изменений в топологию; возможностью эф-фективного использования автоматизированных методов конструирова-ния, которая обусловлена однородной структурой БМК.Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не обладаютпредельными для данного уровня технологии параметрами и, как пра-вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам. При этомследует различать технологические параметры интегральных микросхеми функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микрос-хемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малойи средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств,реализованных на их основе, оказываются относительно низкими.ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМКБазовый кристалл представляет собой прямоугольную многослой-ную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют перифе-рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области рас-полагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществлениявнешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буфер-ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП ивключает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализоватьразличные буферные схемы за счет соответствующего соединения эле-ментов этой структуры. В общем случае в периферийной области могутнаходиться ячейки различных типов. Причем периферийные ячейки мо-гут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных пово-ротом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением). Под базовойориентацией ячейки понимают положение ячейки, расположенной нанижней стороне кристалла.???????????????????? ?? ?? Переферийная ? ?? ?? ?????????? ? ???? ВО? ?Внутрен.? ? ?? ?? ?область ? ? ?? ?? ?????????? ? ?????????????????????????? область ? ПО???? ??? ? ??? ? ??? ????????????????? ??????????????????????????ПЯ ВКПрис. 1 рис 2.Во внутренней области кристалла матричным способом располага-
Умар.Ш. был тут !!!!!
 
давайте изгоним мат !!!
 
ДОБРОЙ НОЧИ ОТ Ъ
ЛОКИ ИНО
 
ДМК МЭ
 
где инфааа?