Новости Словари Конкурсы Бесплатные SMS Знакомства Подари звезду
В нашей
базе уже
59876
рефератов!
Логин

Пароль

34379Конструирование микросхем и микропроцессоров

34379Конструирование микросхем и микропроцессоров.
Конструирование микросхем и микропроцессоров
Задание на курсовое проектированиеВданном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).Рис. 1. Схема электрическая принципиальнаяТаблица 1. Номиналы элементов схемы:Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент НоминалR1 950 Ом R7 4,25 кОм R13 1 кОм R19 1 кОмR2 14 кОм R8 12,5 кОм R14 3,5 кОм C1 3800 пФR3 45 кОм R9 500 Ом R15 10 кОм VT1-VT8 КТ 312R4 35 кОм R10 3 кОм R16 3,5 кОм E 7,25 ВR5 12,5 кОм R11 10 кОм R17 2,5 кОм R6 950 Ом R12 500 Ом R18 1 кОм Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.Рис. 2. Возможная схема включенияТаблица 2. Номиналы элементов схемы включенияЭлемент Номинал Элемент НоминалRA 8,2 кОм CB 1 мкФRB 43 Ом CC 0,033 мкФRC 2,2 кОм CD 0,015 мкФRD 1,5 кОм CE 4700 пФCA 3300 пФ CF 3300 пФТехнические требования:Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:• предельная рабочая температура - 150? С;• расчетное время эксплуатации - 5000 часов;• вибрация с частотой - 5-2000 Гц;• удары многократные с ускорением 35;• удары однократные с ускорением 100;• ускорения до 50.Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.АннотацияЦелью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной технологии.В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили результаты:- произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования “VITUS”, в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов;- произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы;- произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между элементами;- выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79.ВведениеПриведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы:Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном транзисторе Т7, Т8. Низкочастотный сигнал с резистора R19, включенного в эмиттерную цепь, подается через внешний фильтр на предварительный усилитель НЧ (низкой частоты), а также через резистор R15 на базу транзистора Т3, входящего в усилитель АРУ. Усиленное напряжение АРУ снимается с эмиттера транзистора Т2. Изменение напряжения на эмиттере транзистора Т2 вызывает изменение напряжения питания транзистора Т1, а следовательно и его усиления.На частоте 465 кГц коэффициент усиления усилителя ПЧ составляет 1200 - 2500. Коэффициент нелинейных искажений не превышает 3%. Если входной сигнал меняется от 0,05 до 3 мВ, то изменение выходного напряжения не превышает 6дБ. Напряжение на выходе системы АРУ при отсутствии выходного сигнала составляет 3 - 4,5 В. Напряжение питания составляет 3,6 - 10 В. Потребляемая мощность не более 35 мВт.Анализ задания на проектМикросхема усиления промежуточной частоты (ПЧ) К 237ХА2 может быть изготовлена по тонкопленочной технологии с применением навесных элементов. Конструкция микросхемы выполняется методом свободной маски, при этом каждый слой тонкопленочной структуры наносится через специальный трафарет. На поверхности подложки сформированы пленочные резисторы, конденсаторы, а также контактные площадки и межэлементные соединения. Пленочная технология не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому транзисторы выполнены в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы. Выводы транзисторов привариваются к соответствующим контактным площадкам.Электрический расчет принципиальной схемыЭлектрический расчет производился с помощью системы “VITUS”.Система VITUS - это компьютерное инструментальное средство разработчика электронных схем. Система VITUS позволяет рассчитать токи, напряжения, мощности во всех узлах и элементах схемы, частотные и спектральные характеристики схемы. Система VITUS объединяет в себе компьютерный аналог вольтметров, амперметров и ваттметров постоянного и переменного тока, генераторов сигналов произвольной формы, многоканального осциллографа, измерителя частотных характе-ристик.Система VITUS :• позволяет описывать принципиальную схему как в графическом виде, так и на встроенном входном языке;• выводит требуемые результаты расчета в графическом виде;• снабжена справочником параметров элементов;• работает под управлением дружественного интерфейса.Основной задачей электрического расчета является определение мощностей, рассеиваемых резисторами и рабочих напряжений на обкладках конденсаторов. В результате расчета были получены реальные значения мощностей и напряжений, которые являются исходными данными для расчета геометрических размеров элементов.Результаты расчета приводятся в расчете геометрических размеров элементов.Данные для расчета геометрических размеров тонкопленочных элементовТаблица 3. Данные для расчета резисторовРезистор Рном, Вт ?R Резистор Рном, Вт ?R R1 1,41E-6 0,2 0,1 R11 4,46E-3 0,22 0,1R2 3,36E-8 0,22 0,1 R12 2,23E-4 0,2 0,1R3 2,47E-4 0,22 0,1 R13 1,79E-5 0,2 0,1R4 1,98E-4 0,22 0,1 R14 1,05E-2 0,2 0,1R5 8,58E-6 0,22 0,1 R15 3,91E-10 0,22 0,1R6 5,35E-13 0,2 0,1 R16 1,27E-6 0,2 0,1R7 3,21E-5 0,2 0,1 R17 3,46E-4 0,2 0,1R8 3,30E-3 0,22 0,1 R18 1,95E-4 0,2 0,1R9 7,4E-5 0,2 0,1 R19 1,97E-4 0,2 0,1R10 4,51E-5
Умар.Ш. был тут !!!!!
 
давайте изгоним мат !!!
 
ДОБРОЙ НОЧИ ОТ Ъ
ЛОКИ ИНО
 
ДМК МЭ
 
где инфааа?