Новости Словари Конкурсы Бесплатные SMS Знакомства Подари звезду
В нашей
базе уже
59876
рефератов!
Логин

Пароль

Схема сопряжения датчика с SA

Схема сопряжения датчика с SA.
Схема сопряжения датчика с SA Схемотехника


элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1.

ТТЛ

Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах
согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде
схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно
использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором.

ЛЭ ТТЛ с простым инвертором

Достоинства
1. Простота технической реализации (на одном кристалле).
2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие.
Недостатки
1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ <
U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ)
2. Малый Kраз (Kраз — число единичных нагрузок, одновременно
подключенных к выходу ЛЭ)
Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от
статических помех и Kраз.

Схема с открытым коллектором.

Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора.
Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная
логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором.
[pic]
Рис.1
Для реализации операции y=x1x2
[pic]
Рис.2
[pic]
Рис.3
База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ.
Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует.
Достоинства
1. Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2).
2. МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области
базы VT2

Условия
1. Положительная логика
2. [pic]
3. [pic]
[pic]
1 случай
x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ( “1”
МЭТ выполняет следующие функции:
1. Операция “И” [pic]
2. Усиление сигнала.
3. VD1, VD2.
4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ.
VD1 ( (база-эмиттер VT1)х1,
VD2 ( (база-эмиттер VT1)х2.
Диод смещения VD3 ( база-коллектор VT1
Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-
коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ( режим активный инверсный
Uк-э МЭТ ( 0,1 В
Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1 ( 1,5 В
VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт,
насыщен. Rвых мало (( 5..40 Ом) ( Uy = U0 ( 0,2В
2 случай
Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В
(Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В
Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется [pic]
VT2 закрыт.
МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и
насыщенный.

ЛЭ ТТЛ-типа серии К155

1. Краз мало в ТТЛ с простым инвертором
2. Rвых ( Rк VT
Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором.
[pic]
Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором.

Состав схемы

1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор [pic].
2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5).
3. Демпфирующий диод VD3.
Сложный инвертор включает в себя:
1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с
корректирующей цепочкой VT5, R3, R4.
2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5).
c) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП).
d) Инвертор на VT4.
Назначение VD1, VD2.
Это так называемые демпфирующие диоды — для шунтирования (на корпус)
сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При
положительной логике уровни сигналов[pic]и [pic] при UИП = +5В.
1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L.
2. Наводки (наведённые статические помехи).
Первые создает колебательный контур (к/к) [pic]
[pic]
Рис. 5
В момент окончания сигнала (Ua – Uk)VD1,2 = 0 – (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В
( VD1 открыт и ( RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная
полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие
своей малости.

МЭТ

VT1, R1 предназначены для реализации операции “И”. Он представляет собой
диодную сборку. Сравним с ДТЛ
1. (б–э)х1 ( VD1 (ДТЛ).
(б–э)х2 ( VD2 (ДТЛ).
(б–к)VT1 ( VD3 (диод смещения ДТЛ)
2. Выполняет операцию усиления.
3. При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание
неосновных носителей ( VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы
транзистора VT1 ДТЛ (R3).

Режим работы транзистора VT1

1. Режим насыщения.
2. Активный инверсный.

1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом
случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и
насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт.
2. Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены в обратном направлении, R
велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало).

Рассмотрим назначение VT2

Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4).
VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток
IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 < IнVT4). Если в точке k «–», то в точке с «–».

VT3(ЭП)

ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при
выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход «0» закрывается
VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника
питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается,
т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления
меньше.
1 случай
U1 = U2 = U1 ( “1”
(б-э)VT1 смещены в обратном направлении.
(б-к)VT1 смещён в прямом направлении. ( VT1 работает в активном
инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б-
к)VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4.
[pic]
При открытом p-n переходе [pic]
[pic]
VT2 открыт и насыщен
Ток протекает по цепи: «+»ИП ( R2 ( (к-э)VT2о.н. ( R3 (VT5 ( корпус
( R4 (
VT4 открывается напряжением Uc. Оно создается после открытия VT2 и VT5
током эмиттера VT2.
Корректирующая цепочка предназначена для защиты от статических помех
(для увеличения [pic]) по сравнению с ЛЭ без корректирующей цепочки за
счет изменения формы. В интересах повышения помехоустойчивости
используется VT2 (это VD4 в схеме ДТЛ)
(б-э)VT1 ( VD4 ДТЛ
(б-э)VT2 ( VD3 ДТЛ
Uколлектора насыщения VT4=0,1В
2 случай
Если на один из входов подать уровень напряжения, соответствующим
логическому «0», то через переход (б-э)VT1 ток протечет по цепи: «+»ИП
( R1 ( (б-э)VT2 ( X1 ( корпус
Ua = U(б-э)откр.VT1 + UX1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Uk = Ua – U(к-э)VT1 = 1 – 0,1 = 0,9В
VT2-VT4 – закрыты
При VT2 закрытом Uб ( UИП = 5В. VT3, VD3 открыты, ( Uy = UИП –
U(б-э)VT3 – UVD3о = = 5–1,6 = 3,4В

Параметры ТТ
Умар.Ш. был тут !!!!!
 
давайте изгоним мат !!!
 
ДОБРОЙ НОЧИ ОТ Ъ
ЛОКИ ИНО
 
ДМК МЭ
 
где инфааа?