| Новости | Словари | Конкурсы | Бесплатные SMS | Знакомства | Подари звезду |
|
|
|
|
Схема сопряжения датчика с SA
Схема сопряжения датчика с SA.
Схема сопряжения датчика с SA Схемотехника элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1. ТТЛ Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором. ЛЭ ТТЛ с простым инвертором Достоинства 1. Простота технической реализации (на одном кристалле). 2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие. Недостатки 1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ) 2. Малый Kраз (Kраз — число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ) Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз. Схема с открытым коллектором. Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором. [pic] Рис.1 Для реализации операции y=x1x2 [pic] Рис.2 [pic] Рис.3 База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует. Достоинства 1. Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2). 2. МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2 Условия 1. Положительная логика 2. [pic] 3. [pic] [pic] 1 случай x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ( “1” МЭТ выполняет следующие функции: 1. Операция “И” [pic] 2. Усиление сигнала. 3. VD1, VD2. 4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ. VD1 ( (база-эмиттер VT1)х1, VD2 ( (база-эмиттер VT1)х2. Диод смещения VD3 ( база-коллектор VT1 Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база- коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ( режим активный инверсный Uк-э МЭТ ( 0,1 В Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1 ( 1,5 В VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (( 5..40 Ом) ( Uy = U0 ( 0,2В 2 случай Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В (Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется [pic] VT2 закрыт. МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный. ЛЭ ТТЛ-типа серии К155 1. Краз мало в ТТЛ с простым инвертором 2. Rвых ( Rк VT Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором. [pic] Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором. Состав схемы 1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор [pic]. 2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5). 3. Демпфирующий диод VD3. Сложный инвертор включает в себя: 1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4. 2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5). c) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП). d) Инвертор на VT4. Назначение VD1, VD2. Это так называемые демпфирующие диоды — для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналов[pic]и [pic] при UИП = +5В. 1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L. 2. Наводки (наведённые статические помехи). Первые создает колебательный контур (к/к) [pic] [pic] Рис. 5 В момент окончания сигнала (Ua – Uk)VD1,2 = 0 – (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В ( VD1 открыт и ( RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости. МЭТ VT1, R1 предназначены для реализации операции “И”. Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ 1. (б–э)х1 ( VD1 (ДТЛ). (б–э)х2 ( VD2 (ДТЛ). (б–к)VT1 ( VD3 (диод смещения ДТЛ) 2. Выполняет операцию усиления. 3. При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание неосновных носителей ( VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы транзистора VT1 ДТЛ (R3). Режим работы транзистора VT1 1. Режим насыщения. 2. Активный инверсный. 1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт. 2. Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены в обратном направлении, R велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало). Рассмотрим назначение VT2 Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4). VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 < IнVT4). Если в точке k «–», то в точке с «–». VT3(ЭП) ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход «0» закрывается VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается, т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления меньше. 1 случай U1 = U2 = U1 ( “1” (б-э)VT1 смещены в обратном направлении. (б-к)VT1 смещён в прямом направлении. ( VT1 работает в активном инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б- к)VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4. [pic] При открытом p-n переходе [pic] [pic] VT2 открыт и насыщен Ток протекает по цепи: «+»ИП ( R2 ( (к-э)VT2о.н. ( R3 (VT5 ( корпус ( R4 ( VT4 открывается напряжением Uc. Оно создается после открытия VT2 и VT5 током эмиттера VT2. Корректирующая цепочка предназначена для защиты от статических помех (для увеличения [pic]) по сравнению с ЛЭ без корректирующей цепочки за счет изменения формы. В интересах повышения помехоустойчивости используется VT2 (это VD4 в схеме ДТЛ) (б-э)VT1 ( VD4 ДТЛ (б-э)VT2 ( VD3 ДТЛ Uколлектора насыщения VT4=0,1В 2 случай Если на один из входов подать уровень напряжения, соответствующим логическому «0», то через переход (б-э)VT1 ток протечет по цепи: «+»ИП ( R1 ( (б-э)VT2 ( X1 ( корпус Ua = U(б-э)откр.VT1 + UX1 = 0,8 + 0,2 = 1В Uk = Ua – U(к-э)VT1 = 1 – 0,1 = 0,9В VT2-VT4 – закрыты При VT2 закрытом Uб ( UИП = 5В. VT3, VD3 открыты, ( Uy = UИП – U(б-э)VT3 – UVD3о = = 5–1,6 = 3,4В Параметры ТТ |
|
|
|
|||||||||
|
|
|