Новости Словари Конкурсы Бесплатные SMS Знакомства Подари звезду
В нашей
базе уже
59876
рефератов!
Логин

Пароль

Выращиванию плёнок силленитов легированного CrO на подложках BiGeO и и

Выращиванию плёнок силленитов легированного CrO на подложках BiGeO и и.
Выращиванию плёнок силленитов легированного CrO на подложках BiGeO и изучение их свойств



Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата висмута. 4 2.2 Некоторые физические свойства силленитов. 6 2.3 Подготовка поверхности и выбор подложки к эпитаксии. 13 2.3.1 Требования к материалу подложки. 13 2.3.2 Подготовка поверхности подложки к эпитаксии. 14 2.4 Получение плёнок соединений со структурой силленита. 15 2.5 Возможность получения плёнок силленита на силлените. 18 2.6 Влияние легирования на свойства монокристаллов силленита. 19 2.6.1 Оптические свойства. 19 2.7 Выводы из литературного обзора 22 3 Экспериментальная часть. 23 3.1 Цели и задачи работы 23 3.2 Характеристики исходных веществ. 23 3.3 Выбор материала тигля. 23 3.4 Оборудование. 24 3.5 Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. 25 3.6 Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. 26 3.7 Нанесения эпитаксиального слоя. 26 3.8 Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя. 27 3.9 Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок. 30 3.10 Результаты работы и выводы. 33 4 Экономическая часть . 34 4.1 Технико - экономическое обоснование проведения дипломной работы. 34 4.1.1 Оценка себестоимости лазерного элемента на основе монокристаллической пленки (по данным полученным в результате НИР ) 35 4.1.2 Лазерная установка на основе обьемных монокристаллов: 38 4.1.3 Лазерная установка на основе пленочных лазеров: 38 4.2 Расчет затрат на проведение научно-исследовательской работы. 39 4.2.1 Расчет затрат на реактивы, сырье, материалы. 39 4.2.2 Расчет энергетических затрат. 39 4.2.3 Расчет заработной платы. 39 4.2.4 Накладные расходы. 40 4.2.5 Расчет амортизационных отчислений. 40 4.2.6 Смета затрат на проведение исследования. 41 5 Охрана труда. 42 5.1 Введение 42 5.1.1 Характеристика применяемых реактивов и препаратов. 42 5.1.2 Категорирование лабораторного помещения 43 5.1.3 Классификация по ПУЭ. 43 5.1.4 Меры электробезопасности. 43 5.1.5 Производственная санитария. 44 5.1.6 Вентиляция. 44 5.1.7 Освещение. 44 5.1.8 Водоснабжение. 45 5.1.9 Режим личной безопасности. 45 6 Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений. 46 6.1 ВВЕДЕНИЕ. 46 6.2 Экологическая характеристика темы работы. 46 6.3 Токсикологическая характеристика сырья, реагентов, промежуточных и конечных продуктов. 47 6.4 Переработка и обезвреживание твердых отходов. 48 6.5 Переработка и обезвреживание жидких отходов. 48 6.6 Укрупненная оценка экономического ущерба от загрязнения атмосферы . 48 6.7 Укрупненная оценка ущерба от загрязнения водоемов. 50 6.8 Выводы. 51 7 Cписок литературы. 52 1 Введение. Современная оптоэлектроника решает задачи, связанные с исследованием процессов обработки, передачи, хранения, воспроизведения информации и конструированием соответствующих функциональных систем. К числу важнейших элементов таких систем относятся оптические модуляторы, дефлекторы, дисплеи, элементы долговременной и оперативной памяти и др. В оптических информационных системах перечисленные процессы реализуются путём взаимодействия световых пучков со средой. Это взаимодействие осуществляется с помощью соответствующих материалов, обладающих свойствами которые могут изменятся под воздействием света, механического воздействия, а так же под действием электрического и магнитного полей. В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется на основе монокристаллических элементов с определённой совокупностью физических свойств. Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа (mBi2O3(nMexOy) вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, обладают электрооптическими и магнитооптическими свойствами, что в сочетании с фотопроводимостью выдвигает их в число перспективных материалов для создания электро- и магнитооптических модуляторов лазерного излучения, запоминающих устройств типа ПРОМ и т.д. Наибольшую известность среди соединений этого класса приобрели силикаты и германаты висмута для которых разработана технология выращивания крупных монокристаллов и достаточно полно изучены физико-химические свойства и структура. В последнее время вопросы создания оптоэлектронных элементов методами интегральной технологии становятся всё более насущными. В связи с вышеуказанными преимуществами силленитов в последние годы проводилось много исследований плёнок со структурой силленита, в которых отмечалась перспективность их использования в оптоэлектронике и пьезотехнике. В связи с заметным влиянием природы структурообразующего иона на свойства позволяющем расширить области применения, а точнее замена р-элементов (Ge, [ ] ns2np2) в Bi12ЭO20 ионами переходных металлов, имеющих неспаренные 3dn-электроны приобретаются новые свойства (изменения окраски, расширение области пропускания в длинноволновой части спектра) Данная работа посвящена выращиванию плёнок силленитов (в частности Bi12GeO20 легированного Cr2O3) на подложках Bi12GeO20 и изучению некоторых их свойств. 2 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. 2.1 Соединения со структурой силленита. Кристаллы со структурой силленита относятся к пентагонтритетраэдрическому классу I 23 кубической сингонии и принадлежит к пространственной группе T3(I23) (1,2(. Sillen обнаружил, что при взаимодействия Bi2O3 с оксидами Si, Ge, Al, Fe, Zn, Pb и др., образуется объёмоцентрированная кубическая фаза (3,4( с элементарной ячейкой содержащей две формульные единицы. Позднее более тщательные исследования (5( показали, что соединения со структурой силленита образуются при взаимодействии (-Bi2O3 с оксидами элементов, способных иметь четверную координацию по кислороду. Параметр элементарной ячейки объёмоцентрированной кубической (-Bi2O3 а=10,245 ( 0,001 A, а измеренная гидростатическая плотность составляет 9,239 г/см3 (1(. 2.1.1 Структура германата висмута. Атомы кислорода О(3) расположены на главных диагоналях элементарной ячейки вокруг Ge, образуя правильный тетраэдр, на что было обращено внимание в работах (6-8( (рис. 1.1.1.). На одинако
Умар.Ш. был тут !!!!!
 
давайте изгоним мат !!!
 
ДОБРОЙ НОЧИ ОТ Ъ
ЛОКИ ИНО
 
ДМК МЭ
 
где инфааа?